정의
800 nm 공정(또는 0.8 µm 공정)은 반도체 제조에서 사용되는 리소그래피 공정 중 하나로, 트랜지스터 게이트 길이가 800 nm(0.8 µm)인 기술을 의미한다. 이 공정은 1980년대 후반부터 1990년대 초반에 걸쳐 다양한 IC(집적 회로) 제조업체에 의해 상업적으로 이용되었다.
역사
- 1980년대 후반: 1 µm·1.2 µm·1.3 µm 공정에 이어 800 nm 공정이 도입되었다.
- 1990년대 초반: 800 nm 공정이 주류가 되었으며, 이후 650 nm, 600 nm, 500 nm 공정으로 순차적으로 전환되었다.
적용 분야
800 nm 공정은 다음과 같은 분야에 적용되었다.
- 마이크로프로세서 – 초기 Pentium 계열 등 일부 마이크로프로세서가 800 nm 공정으로 제조되었다.
- 시스템‑온‑칩(SoC) – 다양한 임베디드 시스템 및 ASIC(특정 용도 집적 회로)에서 사용되었다.
- 기타 디지털 및 아날로그 IC – 대량 생산이 가능한 수준의 로직 및 메모리 소자에 적용되었다.
주요 제품·예시
- 인텔 Pentium(1992년 초 모델) 등 일부 초기 마이크로프로세서.
- 해당 공정을 이용한 여러 기업의 시스템‑온‑칩 제품군.
관련 기술
- 리소그래피 – 800 nm 파장의 광원을 사용한 광학 리소그래피(기본적으로 깊은 자외선(DUV) 기술)로 패턴을 형성한다.
- 식각·증착 – 800 nm 공정에 맞춘 식각(Etch) 및 박막 증착(Deposition) 공정이 병행되어 트랜지스터 구조를 완성한다.
현황 및 한계
800 nm 공정은 현재 최신 반도체 제조에서 사용되지 않으며, 650 nm 이하 공정으로 대체되었다. 그러나 800 nm 공정은 과거 기술 발전 단계에서 중요한 전환점으로 평가된다.
참고 문헌
- WikiChip, “800 nm lithography process,” https://en.wikichip.org/wiki/800_nm_lithography_process (2024).