130 nm 공정(130 nanometer process) 또는 0.13 µm 공정은 반도체 제조 공정 기술 수준을 나타내는 공정 노드(process node)의 하나이다. 회로선 폭이 130 nm(나노미터), 즉 0.13 µm(마이크로미터)인 반도체 소자를 다루는 공정 기술을 의미한다.
130 nm라는 값의 기원은 반도체 산업이 매 2~3년마다 이전 세대 공정 대비 게이트 길이를 약 70% 수준으로 축소해 온 동향에서 비롯되었으며, 해당 명칭은 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS, International Technology Roadmap for Semiconductors)에서 공식적으로 확정하였다.
2000년에서 2001년경 인텔(Intel), IBM, 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments), TSMC 등의 주요 반도체 기업이 130 nm 공정을 최초로 달성하였다. 이 공정부터 본격적으로 구리(Cu) 배선 기술과 Low-k 유전체(low-k dielectric) 기술이 도입되기 시작하였으며, 이를 통해 트랜지스터 속도 향상과 전력 소비 감소를 이루었다.
이 공정으로 제조된 대표적인 프로세서로는 인텔 펜티엄 III 투알라틴(Tualatin), 인텔 펜티엄 4 노스우드(Northwood), 인텔 펜티엄 M 베니어스(Banias), AMD 애슬론 XP 서러브레드(Thoroughbred) 및 바톤(Barton), AMD 애슬론 64 크로우해머(Clawhammer), AMD 옵테론 슬레지해머(Sledgehammer) 등이 있다.
130 nm 공정은 이후 90 nm, 65 nm 등으로 이어지는 미세 공정의 중간 단계에 해당한다. 현재는 과거의 공정 노드로 분류되지만, 일부 시스템반도체 및 전력 반도체 분야에서는 숙성 공정(mature process)으로서 여전히 활용되고 있다. 2020년에는 미국 반도체 기업 스카이워터 테크놀로지(SkyWater Technology)가 구글 및 eFabless와 협력하여 130 nm 공정용 프로세스 디자인 킷(PDK)을 아파치 라이선스(Apache License) 하에 오픈소스로 최초 공개한 바 있다.
