트랜지스터 카운트(transistor count)는 전자 장치, 일반적으로 단일 기판 또는 실리콘 다이 위에 집적된 트랜지스터의 수를 의미한다. 이는 집적 회로(IC)의 복잡성을 측정하는 가장 일반적인 지표로 사용된다. 다만 현대 마이크로프로세서의 대부분의 트랜지스터는 캐시 메모리에 포함되어 있으며, 캐시 메모리는 동일한 메모리 셀 회로를 여러 번 복제하여 구성된다는 점에서 단순한 트랜지스터 수치만으로 회로의 논리적 복잡성을 완전히 대표하지는 않는다.
MOSFET 트랜지스터 수의 증가율은 일반적으로 무어의 법칙(Moore's law)을 따른다. 무어의 법칙은 약 2년마다 집적 회로의 트랜지스터 수가 두 배로 증가한다는 관찰에 기반한다. 그러나 트랜지스터 수는 다이 면적에 직접 비례하므로, 해당 제조 기술의 발전도를 나타내는 더 나은 지표는 트랜지스터 밀도(transistor density), 즉 단위 면적(제곱밀리미터)당 트랜지스터 수로 간주된다.
트랜지스터 카운트의 측정 방식은 단순하지 않다. ROM(읽기 전용 메모리)이나 PLA(프로그래머블 논리 어레이)의 경우 저장된 데이터 값에 따라 실제 물리적 트랜지스터의 존재 여부가 달라지므로, 제조사들은 일반적으로 실제 트랜지스터가 아닌 '잠재적 트랜지스터 위치(potential transistor sites)'의 수를 기준으로 카운트를 산정하는 경우가 많다. 예를 들어 인텔 8086 프로세서는 공식적으로 29,000개의 트랜지스터를 가진 것으로 알려져 있으나, 이는 ROM과 PLA의 빈 자리까지 포함한 수치이며 실제 물리적 트랜지스터 수는 약 20,000개에 가깝다. 또한 출력 드라이버 등에서 구동 전류를 높이기 위해 여러 개의 트랜지스터를 병렬로 연결하는 경우, 이를 하나의 트랜지스터로 계산할지 여러 개로 계산할지에 따라 수치가 달라질 수 있다.
기록에 따르면, 2023년 기준 플래시 메모리 분야에서 가장 높은 트랜지스터 수는 마이크론(Micron)의 2테라바이트 3D 스택 16개 다이, 232층 V-NAND 플래시 메모리 칩으로, 약 5.3조 개의 플로팅 게이트 MOSFET을 가진다. 단일 칩 프로세서 기준으로는 2020년 세레브라스(Cerebras)의 웨이퍼 스케일 엔진 2(Wafer Scale Engine 2)가 TSMC 7nm 공정으로 제조된 웨이퍼에 2.6조 개의 MOSFET을 집적하였다. 2024년 기준 GPU 중에서는 엔비디아의 블랙웰(Blackwell) 기반 B100 가속기가 2,080억 개의 MOSFET을 포함한다. 소비자용 마이크로프로세서 중에서는 2025년 3월 기준 애플의 M3 울트라(Apple M3 Ultra) SoC가 1,840억 개의 트랜지스터로 가장 높은 수치를 기록하고 있으며, 이는 TSMC 3nm 공정으로 제조된다.
트랜지스터 카운트는 마이크로프로세서, GPU, FPGA, 메모리(DRAM, SRAM, 플래시 메모리), 초기 트랜지스터 컴퓨터 등 다양한 장치 유형별로 정리되어 있으며, 각 장치의 세대별 발전 과정을 추적하는 데 사용된다. 2018년 기준으로 인류가 제조한 총 트랜지스터 수는 약 1.3×10²²개(13섹스틸리언)로 추정된다.
